6 月 3 日消息，綜合臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)灣地區(qū)內(nèi)存企業(yè)南亞科技正在 AI DRAM 加速布局，力爭(zhēng)在三大原廠全力爭(zhēng)奪 HBM 市場(chǎng)的環(huán)境下從定制領(lǐng)域分得一杯羹。

　　南亞科技總經(jīng)理李培瑛表示，AI 應(yīng)用內(nèi)存的四大關(guān)鍵元素分別是高密度先進(jìn) DRAM、3D TSV 硅通孔工藝與多芯片封裝、HBM 設(shè)計(jì)能力、邏輯 Base Die(IT之家注：基礎(chǔ)裸晶)。

　　南亞科技目前已完成高密度先進(jìn) DRAM 技術(shù)部署，正同伙伴補(bǔ)丁科技、福懋科技一道推進(jìn) TSV 和封裝，HBM 設(shè)計(jì)和邏輯制程 Base Die 則將以戰(zhàn)略性投資與合作形式實(shí)現(xiàn)。其定制化 DRAM 項(xiàng)目預(yù)計(jì)最快可在 2026 年取得驗(yàn)證，2026 年底至 2027 年貢獻(xiàn)業(yè)績(jī)。

　　對(duì)于當(dāng)前市場(chǎng)環(huán)境，由于三大內(nèi)存原廠減產(chǎn)停產(chǎn) DDR3、DDR4，南亞科技正承接轉(zhuǎn)單需求。而在市場(chǎng)提前備貨的趨勢(shì)下，南亞科技有望在三季度清理完畢庫存，四季度力拼扭虧為盈。