IT產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊 近日，高通發(fā)布最新一代處理器驍龍835，預計搭載驍龍835處理器的設備將會在2017年上半年陸續(xù)與大家見面，三星“爆炸”之殤或得緩解。

　　據(jù)悉，新一代高通驍龍835，以三星10 nm FinFET打造，與一個水分子差不多大，比頭發(fā)小1000倍，比驍龍820處理器體積小30%，可以騰出更多空間安放大容量電池，或讓智能手機更為輕薄。而其性能提升27%，功耗卻降低40%，提高用戶體驗，將支持最新的快充技術(shù)Quick Charge 4.0。官方稱充電5分鐘可以延長手機使用時長5小時，由0%充到50%，也只是15分鐘。

　　為防止電池過度充電，出現(xiàn)類似三星Note7的爆炸事件，高通承諾新一代芯片搭載的智能手機，其電流、電壓與溫度都比上一代更加穩(wěn)定。與3.0不同的是，新一代快充將支持USB Type-C與USB Power Delivery接口。不過截至目前，高通尚未將該芯片的具體配置公開。此外，高通的其他高端裝備預計將在明年2月MWC2017大會上于拉斯維加斯發(fā)布。

　　失之東隅收之桑榆，業(yè)內(nèi)人士認為，正在處理各種手機爆炸事件的三星，或許會因為高通代工的關(guān)系而率先搭載該新型處理器，最有可能搭載的三星手機或為三星Galaxy S8�？梢灶A見的是，這款驍龍835芯片將于今年底開始量產(chǎn)，該芯片也將會成為2017年大多數(shù)旗艦手機的主流配置。