據(jù)日媒《日刊工業(yè)新聞》報道，美光將斥資 6000~8000 億日元(IT之家備注：當前約 277.2~369.6 億元人民幣)，在日本廣島建設新的 DRAM 內(nèi)存晶圓廠。

　　該晶圓廠將引進 EUV 光刻機，計劃于 2026 年初動工，有望于 2027 年末正式投產(chǎn)。

　　美光將在 2025 年量產(chǎn)的下代 1-gamma (nm) 節(jié)點正式導入 EUV 光刻技術�？紤]到 DRAM 行業(yè)的代際周期，美光廣島新工廠屆時將具備生產(chǎn) 1-gamma 乃至 1-delta DRAM 的能力。

　　報道指，美光原計劃在今年就啟動新晶圓廠的運行，這樣就能在 2025 年量產(chǎn)后的第一時間擴充 1-gamma DRAM 制造能力。

　　但由于此前半導體行業(yè)，尤其是存儲領域的衰退，美光對投資計劃進行了調(diào)整，放緩了產(chǎn)能擴張的速度。

　　美光建設新廠的部分開支將來源于日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省的補貼，這筆資金至高可達 1920 億日元(當前約 88.7 億元人民幣)。