你認(rèn)為AMD的Instinct MI300X和英偉達(dá)的B200 GPU很大嗎?臺(tái)積電近期在北美技術(shù)研討會(huì)上宣布，該公司正在開(kāi)發(fā)CoWoS封裝技術(shù)的新版本，該技術(shù)將使系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的尺寸增大兩倍以上。代工廠預(yù)計(jì)，這些將使用120x120毫米的巨大封裝，并消耗數(shù)千瓦的功率。

　　最新版本的CoWoS允許臺(tái)積電制造比光掩模(或掩模版，858平方毫米)尺寸大約3.3倍的硅中介層。 因此，邏輯、8個(gè)HBM3/HBM3E內(nèi)存堆棧、I/O和其他小芯片(Chiplet)最多可占用2831平方毫米。最大基板尺寸為80×80毫米。AMD的Instinct MI300X和英偉達(dá)的B200都使用這種技術(shù)，盡管英偉達(dá)的B200芯片比AMD的MI300X更大。

　　下一代CoWoS_L將于2026年投入生產(chǎn)，將能夠?qū)崿F(xiàn)約5.5倍掩模版尺寸的中介層(這可能不如去年宣布的6倍掩模版尺寸那么令人印象深刻)。這意味著4719平方毫米將可用于邏輯、最多12個(gè)HBM內(nèi)存堆棧和其他小芯片。此類SiP還需要更大的基板，根據(jù)臺(tái)積電的幻燈片，正在考慮100x100 毫米。因此，此類芯片將無(wú)法使用OAM模塊。

　　臺(tái)積電不會(huì)就此止步：到2027年，它將擁有CoWoS技術(shù)的新版本，該技術(shù)將使中介層的尺寸達(dá)到光罩尺寸的8倍或更多倍，這將為Chiplet提供6864平方毫米的空間。臺(tái)積電設(shè)想的其中一種設(shè)計(jì)依賴于四個(gè)堆疊式集成系統(tǒng)芯片 (SoIC)，與12個(gè)HBM4內(nèi)存堆棧和額外的I/O芯片相配合。這樣一個(gè)龐然大物肯定會(huì)消耗巨大的功率——這里討論的是數(shù)千瓦，并且需要非常復(fù)雜的冷卻技術(shù)。臺(tái)積電還預(yù)計(jì)此類解決方案將使用120x120毫米基板。

　　有趣的是，今年早些時(shí)候，博通展示了一款定制AI芯片，具有兩個(gè)邏輯芯片和12個(gè)HBM內(nèi)存堆棧。 我們沒(méi)有這款產(chǎn)品的具體規(guī)格，但它看起來(lái)比AMD的Instinct MI300X和英偉達(dá)的B200更大，盡管沒(méi)有臺(tái)積電2027年計(jì)劃的那么大。