投資界(ID：PEdaily2012)4月21日消息，高端半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)——江蘇魯汶儀器完成過億元B輪融資，本輪融資由中科創(chuàng)星領(lǐng)投，中冀資本、中域資本、祥暉資本、紅星美凱龍、中杰投資等多家投資機構(gòu)跟投，老股東漢唐周本輪繼續(xù)追投數(shù)千萬元。本次融資資金主要用于團隊建設(shè)、設(shè)備快速研發(fā)和迭代，市場拓展備貨等方面。

　　魯汶儀器成立于2015年，創(chuàng)始團隊主要由來自國內(nèi)外著名半導(dǎo)體設(shè)備研究或生產(chǎn)機構(gòu)的資深半導(dǎo)體工藝和設(shè)備專家組成，在半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備及工藝開發(fā)方面具有深厚的技術(shù)積累，尤其對磁性材料刻蝕技術(shù)有獨到的理解。魯汶儀器創(chuàng)造性的提出了ICP+IBE+PECVD多腔體刻蝕技術(shù)方案，配合魯汶儀器專利技術(shù)的腔體在線清洗技術(shù)，目前已獲得多家國內(nèi)外頂級研發(fā)機構(gòu)、生產(chǎn)企業(yè)的高度評價，有望解決困擾業(yè)界的磁性薄膜材料刻蝕難題，為MRAM存儲器的大規(guī)模量產(chǎn)提供可靠、經(jīng)濟的刻蝕解決方案。

　　中科創(chuàng)星投資總監(jiān)盧小保認(rèn)為，存儲器是半導(dǎo)體最大的一個細(xì)分領(lǐng)域，占到了半導(dǎo)體市場份額的1/3，新興存儲器如MRAM在功耗、讀寫速度、壽命、非易失性、工藝可微縮性、可靠性等各方面優(yōu)勢明顯，有望取代DRAM，甚至部分取代SRAM，成為通用型存儲器類型。目前STT-MRAM已經(jīng)開始在嵌入式存儲器領(lǐng)域發(fā)力，TSMC、三星、Globalfoundries等領(lǐng)先企業(yè)都發(fā)布了嵌入式STT-MRAM工藝，SOT-MRAM研發(fā)進展順利，有望成為真正意義上的通用存儲器。MRAM核心難點在于薄膜沉積和磁性材料刻蝕，尤其是磁阻隧道結(jié)的刻蝕，是困擾工業(yè)界的最大難題，目前工業(yè)界尚不能提供理想的刻蝕解決方案，魯汶儀器創(chuàng)造性的提出了多腔體刻蝕+腔體在線清洗技術(shù)，有望率先解決MRAM器件刻蝕的技術(shù)瓶頸，為MRAM存儲器的規(guī)模量產(chǎn)提供解決方案。