隨著半導(dǎo)體工藝的日益復(fù)雜化，如何延續(xù)摩爾定律一直是行業(yè)熱門(mén)話題，不少人直言這個(gè)定律即將甚至已經(jīng)終結(jié)，而作為半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍巨頭，Intel一直在不斷探索新的材料、技術(shù)和工藝，持續(xù)推進(jìn)摩爾定律。

　　12月3日，權(quán)威的《自然》雜志發(fā)表了一篇有關(guān)下一代邏輯器件(Logic devices)的研究論文，作者包括Intel、加州大學(xué)伯克利分校、勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的研究人員。

　　這篇論文描述了一種由Intel發(fā)明的磁電自旋軌道(MESO)邏輯器件，相比目前最常用的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)，MESO器件結(jié)合了超低休眠狀態(tài)功率，有望把電壓降低5倍、能耗降低10-30倍，并考慮到了未來(lái)計(jì)算所需的關(guān)于存儲(chǔ)器、互連線和邏輯的要求。

　　目前，Intel已經(jīng)做出了該MESO器件的原型，采用的是在室溫下呈現(xiàn)新興量子行為的量子材料，以及由材料科學(xué)家Ramamoorthy Ramesh開(kāi)發(fā)的磁電材料——他目前就任于加州大學(xué)伯克利分校和勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室。

　　MESO還利用了由物理學(xué)家Albert Fert描述的自旋軌道超導(dǎo)效應(yīng)(Spin-orbit transduction effects)——他就任于法國(guó)國(guó)家科學(xué)研究院/泰雷茲集團(tuán)聯(lián)合物理研究組。

　　在探求不斷更新半導(dǎo)體工藝、微縮CMOS的同時(shí)，Intel一直在研究超越CMOS時(shí)代的未來(lái)十年即將出現(xiàn)的計(jì)算邏輯選項(xiàng)，推動(dòng)計(jì)算能效提升，并跨越不同的計(jì)算架構(gòu)促進(jìn)性能增長(zhǎng)。

　　Intel資深院士兼技術(shù)與制造事業(yè)部探索性集成電路組總監(jiān)Ian Young表示：“我們正在研究超越CMOS時(shí)代的計(jì)算方案，尋求革命性而不是演進(jìn)性的突破。MESO以低壓互連和低壓磁電為基礎(chǔ)，將量子材料創(chuàng)新與計(jì)算結(jié)合在一起。我們對(duì)已經(jīng)取得的進(jìn)展感到非常興奮，并期待著發(fā)揮其潛力，未來(lái)做出進(jìn)一步降低翻轉(zhuǎn)電壓的演示。”

　　Intel功能電子集成與制造科技中心主任、資深科學(xué)家Sasikanth Manipatruni表示：“MESO器件基于室溫量子材料開(kāi)發(fā)。它展現(xiàn)了該技術(shù)的可能性，并有望在業(yè)界、學(xué)術(shù)界和各國(guó)家實(shí)驗(yàn)室中引發(fā)新一輪創(chuàng)新。而這種新型計(jì)算器件和架構(gòu)所需的許多關(guān)鍵材料和技術(shù)，還需要進(jìn)行更多開(kāi)發(fā)。”