據(jù)媒體報(bào)道，在加利福尼亞州圣何塞舉辦的2024年三星晶圓代工論壇年度博覽會(huì)上，三星公布了最新的半導(dǎo)體芯片工藝路線圖。

　　三星宣布將在2025年量產(chǎn)2nm芯片，計(jì)劃在2027年量產(chǎn)1.4nm芯片，其中三星的2nm工藝布局了多個(gè)節(jié)點(diǎn)，第一代2nm工藝是SF2，后續(xù)三星又布局了SF2P、SF2X、SF2A和SF2Z等多個(gè)節(jié)點(diǎn)。

　　據(jù)悉，三星第一代2nm工藝SF2將于明年準(zhǔn)備就緒，最先進(jìn)的2nm工藝節(jié)點(diǎn)SF2Z將于2027年量產(chǎn)商用，它采用先進(jìn)的后端供電網(wǎng)絡(luò)(BSPDN)技術(shù)，可以提高電源效率。

　　值得注意的是，三星2nm工藝進(jìn)一步完善了多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MBCFET)架構(gòu)，具有獨(dú)特的外延和集成工藝，與基于FinFET的工藝技術(shù)相比，晶體管性能提升了11%-46%，可變性降低26%，同時(shí)漏電降低約50%。

　　值得注意的是，在今年2月，三星宣布與Arm展開(kāi)合作，提供基于最新的GAA晶體管技術(shù)，優(yōu)化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU內(nèi)核，盡可能地提高了性能和效率。