北京時間7月3日消息，據(jù)外媒報道，近日三星更新了他們的芯片工藝線路圖，其中三星在芯片工藝上將會跳過4nm制程工藝，直接從5nm制程工藝提升至3nm制程工藝。三星這樣的計劃，主要是為了能夠與行業(yè)前列的臺積電進行競爭。

　　臺積電近幾年一直走在行業(yè)前列，除了7nm和5nm工藝都是率先量產(chǎn)，他們還獲得了大量的其他企業(yè)的代工合同。三星現(xiàn)在直接進行3nm工藝研發(fā)，就是為了縮小與臺積電的差距，甚至實現(xiàn)超越。不過，臺積電此前就已經(jīng)開始了3nm制程工藝的研發(fā)，因此鹿死誰手還是未知數(shù)。

　　按照5月份時候的計劃，三星將會從8月份開始批量生產(chǎn)5nm Exynos芯片，同時他們還會繼續(xù)改進已經(jīng)推出的7nm芯片Exynos 990。

　　消息人士透露，三星已經(jīng)完成了基于5nm EUV工藝的下一代Exynos SoC批量生產(chǎn)所需的所有準備工作。三星的芯片部門還在等待，等待有關(guān)是否要用在Galaxy Note 20系列中的決定。

　　另外，三星從今年2月份開始就已經(jīng)在批量生產(chǎn)用于移動設備的16GB LPDDR5 DRAM芯片。這些芯片已經(jīng)用在了三星Galaxy S20 Ultra 5G版身上。近期，三星增加了這款芯片的產(chǎn)量，因此有理由相信將會運用在三星Galaxy Note20系列身上。