日本針對韓國氟聚酰亞胺、光刻膠等三種原材料實施管制之后，這種由雙方貿(mào)易戰(zhàn)所帶了的影響，已經(jīng)開始影響到消費端。市場調(diào)研機構發(fā)布最新調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，從本周開始8Gb DDR4內(nèi)存均價達到了3美元。

　　據(jù)悉，雖然價格僅是上漲1.2%，但這是自去年9月份以來內(nèi)存現(xiàn)貨價格首次上揚。這表明內(nèi)存市場上已經(jīng)離開是有恐慌情緒。即擔心日本制裁將會導致三星等全球重要廠商出貨量下降。

　　據(jù)了解，三星全球NAND市占逾三成，而且目前三星已開始考慮縮減逾二成產(chǎn)出，等于全球?qū)�減少逾6%至8%供應量，加上東芝NAND工廠上月受強震影響產(chǎn)能估達3%，合計本月起，全球NAND產(chǎn)出將減少近一成，且美光也宣布本季減產(chǎn)五成NAND芯片，預料在庫存快速消化及未來供給大幅縮減下，NAND芯片恐出現(xiàn)缺貨，價格也將結束長達二年多的跌勢。

　　同時分析者認為，若日韓貿(mào)易談判無法取得實質(zhì)性進展，則下季DRAM合約價也將止跌反彈。綜合來看，在天災+人禍的雙重影響下全球市場將會出現(xiàn)NAND與DRAM兩大內(nèi)存“雙漲”效應。

　　天災影響，今年6月中旬東芝位于日本四日市的5座閃存工廠遭遇斷電事故，導致部分工廠停工5天，另外3座工廠停產(chǎn)到本月，這起“天災”有可能改變Q3季度閃存的價格走向，跌幅收窄是沒跑了。

　　人禍影響，本月初日本宣布制裁韓國，限制三種關鍵的半導體材料出口給韓國公司，其中光刻膠是閃存內(nèi)存生產(chǎn)中必須的材料，沒有日本的供應，韓國三星、SK海力士等公司的內(nèi)存閃存生產(chǎn)要受到限制。