就在不久前，Intel宣布已經(jīng)準備好大規(guī)模量產(chǎn)MRAM(磁阻式隨機訪問內(nèi)存)，這種綜合了RAM內(nèi)存、NAND閃存的新型非易失性存儲介質(zhì)斷電后不會丟失數(shù)據(jù)，寫入速度則數(shù)千倍于閃存，可以兼做內(nèi)存和硬盤，甚至統(tǒng)一兩者。

　　同時很關鍵的是，它對制造工藝要求低，良品率也高得多，可以更好地控制成本，成品價格自然不會太離譜。

　　現(xiàn)在，三星電子又宣布，已經(jīng)全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM(嵌入式磁阻內(nèi)存)，而且用的是看上去有點“老舊”的28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝，可廣泛應用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領域。

　　三星指出，基于放電存儲操作的eFlash(嵌入式閃存)已經(jīng)越來越難以進步，SLC、MLC、TLC、QLC、OLC一路走下來，密度越來越高，但是壽命越來越短，主控和算法不得不進行越來越復雜的補償。

　　eMRAM則是極佳的替代者，因為它是基于磁阻的存儲，擴展性非常好，在非易失性、隨機訪問、壽命耐久性等方面也遠勝傳統(tǒng)RAM。

　　使用28nm工藝量產(chǎn)成功，則進一步證明三星已經(jīng)克服了eMRAM量產(chǎn)的技術難題，工藝上更不是問題。

　　三星表示，28nm FD-SOI工藝的eMRAM可以帶來前所未有的能耗、速度優(yōu)勢。由于不需要在寫入數(shù)據(jù)前進行擦除循環(huán)，eMRAM的寫入速度可以達到eFlash的大約一千倍，而且電壓、功耗低得多，待機狀態(tài)下完全不會耗電，因此能效極高。

　　另外，eMRAM可以輕易嵌入工藝后端，只需增加少數(shù)幾個層即可，因此對于前端工藝要求非常低，可以輕易地使用現(xiàn)有工藝生產(chǎn)線進行制造，包括Bulk、Fin、FD-SOI晶體管。

　　三星還計劃今年內(nèi)流片1Gb(128MB)容量的eMRAM芯片。