這兩年，DRAM芯片和內(nèi)存條價(jià)格經(jīng)歷了一波瘋漲，如今已經(jīng)慢慢回歸理智，而在另一方面，NAND閃存產(chǎn)能一直很充裕，SSD固態(tài)硬盤的價(jià)格也是持續(xù)走低，性價(jià)比越來越高。

　　但是這對(duì)于內(nèi)存、閃存芯片廠商來說，并不是好消息，三星電子、SK海力士、美光三大巨頭就不約而同地要開始刻意控制產(chǎn)能了。

　　美光CEO Sanjay Mehrotra在近日的季度財(cái)務(wù)電話會(huì)議上表示，當(dāng)前DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)查能過剩、庫存持續(xù)增加，導(dǎo)致價(jià)格下跌、拖累產(chǎn)業(yè)。

　　美光預(yù)計(jì)明年內(nèi)存芯片產(chǎn)能增幅為15%，低于此前預(yù)期的20%，NAND閃存芯片也只會(huì)增長35%，低于此前預(yù)計(jì)的35-40%。

　　為了解決供過于求的問題，美光計(jì)劃將明年全年的資本支出下調(diào)12.5億美元降至95億美元，以減少DRAM內(nèi)存、NAND閃存芯片產(chǎn)能。

　　不過產(chǎn)能調(diào)整需要時(shí)間，美光預(yù)計(jì)可能要明年下半年才會(huì)恢復(fù)供需平衡。

　　同時(shí)，三星、SK海力士也有類似的減產(chǎn)計(jì)劃，三星更是會(huì)增加晶圓代工市場(chǎng)份額，以彌補(bǔ)芯片降價(jià)帶來的損失。

　　市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)計(jì)，明年半導(dǎo)體行業(yè)的整體資本支出可能會(huì)比今年減少12%，其中三星、Intel、SK海力士、臺(tái)積電、美光三巨頭合計(jì)減少14%，其他減少約7%。

　　看這意思，內(nèi)存、固態(tài)硬盤的價(jià)格很可能會(huì)在明年年中前后出現(xiàn)反彈。