在此次閃存峰會上，東芝Keynote的重點是BiCS4 Flash，也就是QLC閃存。

　　BiCS4即第四代BiCS 3D閃存，從BiCS3的64層堆疊提升到96層。

　　時間節(jié)點和技術(shù)指標(biāo)方面，BiCS4 QLC閃存將從明年開始量產(chǎn)，單芯片的容量可達1.33Tb，基于U.2形態(tài)的模組可以做到85TB，基于M.2 22110可以做到20TB，相當(dāng)恐怖。

　　大家關(guān)心的耐用性方面，東芝也將BiCS4 QLC產(chǎn)品的P/E(可編程/擦寫循環(huán))從理論的1000次提升到1500次，為傳統(tǒng)TLC的一半，相信只要價格給力，肯定會討好消費者。

　　當(dāng)然，在“硬貨”方面，東芝祭出了XL-Flash，通過對存儲單元結(jié)構(gòu)進行調(diào)整，即更短的bitline(位線，垂直方向)和wordline(字線，水平方向)，使得讀取延遲降低到當(dāng)下TLC的1/10。XL-Flash早期均采用SLC，后期將擴展到MLC。從這個角度看的話，XL-Flash和三星的Z系列SSD比較像，都是和Intel傲騰競爭的高端品。