三星今日宣布推出基于10nm級(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。
新的內(nèi)存模組容量達到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個16Gb DDR4 DRAM芯片組成。
三星稱，新品取代的是2014年推出的20nm級16GB SoDIMM模組，后者的單芯片容量是8Gb。
當然，換用更先進的制造工藝和采用更高容量后，不僅功耗減少39%，速度也快了11%。
按照三星的官方數(shù)據(jù)，配備2x32GB新內(nèi)存的游戲本，活動功耗會低于4.6瓦，空閑功耗會低于1.4瓦。
目前，三星的10nm工藝級的DRAM產(chǎn)品已經(jīng)涵蓋最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。
榜單收錄、高管收錄、融資收錄、活動收錄可發(fā)送郵件至news#citmt.cn（把#換成@）。
海報生成中...
關(guān)于我們┊聯(lián)系我們┊友情鏈接┊網(wǎng)站地圖┊內(nèi)容聯(lián)系┊獨家報道┊法律聲明
鄂ICP備18015839號-1
鄂公網(wǎng)安備 42112402000149號
專注IT產(chǎn)業(yè)報道，IT產(chǎn)業(yè)網(wǎng) IT產(chǎn)業(yè)生態(tài)價值發(fā)現(xiàn)平臺|IT榜單|IT活動|IT峰會|IT直播
風險提示:文章內(nèi)容僅供閱讀,不構(gòu)成投資建議,請謹慎對待。
IT產(chǎn)業(yè)網(wǎng)&www.coffeespan.com © 2016-2024
