據(jù)外媒報(bào)道，周四，三星電子事實(shí)上的領(lǐng)導(dǎo)者李在镕(Lee Jae-yong)開始大談該公司利用世界上第一個(gè)3納米工藝技術(shù)制造尖端芯片的戰(zhàn)略計(jì)劃。

　　李在镕參觀了該公司位于京畿道華城的半導(dǎo)體研發(fā)中心。據(jù)三星公司稱，這位三星繼承人稱，該公司計(jì)劃采用正在開發(fā)的最新3納米全柵極(gate-all-around，簡(jiǎn)稱GAA)工藝技術(shù)來制造尖端芯片，并提供給全球客戶。

　　GAA被認(rèn)為是當(dāng)前FinFET技術(shù)的升級(jí)版，該技術(shù)使芯片制造商能夠進(jìn)一步提高微芯片的制造工藝。

　　三星在去年4月完成了基于極端紫外線技術(shù)的5納米FinFET工藝技術(shù)的開發(fā)。目前，它正在研究下一代納米工藝技術(shù)。

　　該公司表示，與5納米工藝相比，3納米GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。

　　“李在镕訪問半導(dǎo)體研發(fā)中心，再次凸顯了三星要成長為非內(nèi)存領(lǐng)域頂級(jí)芯片制造商的決心。”三星發(fā)言人稱。

　　去年，三星宣布了一項(xiàng)高達(dá)133萬億韓元(約合1118.5億美元)的投資計(jì)劃，目標(biāo)是到2030年成為全球最大的芯片系統(tǒng)制造商。(騰訊科技審校/樂學(xué))